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深圳先進院等制備出離子增強型高效黑磷晶體管

時間:2017-10-20 作者: 閱讀:3510

      近日,中國科學院深圳先進技術(shù)研究院喻學鋒研究員團隊與深圳大學教授張晗、武漢大學教授廖蕾團隊合作,在二維黑磷領(lǐng)域取得新進展,通過金屬離子修飾的方法制備出高穩(wěn)定性高性能黑磷晶體管。相關(guān)成果發(fā)表于材料學領(lǐng)域刊物《先進材料》上。論文第一作者是博士郭志男,第一單位是中科院深圳先進院。

      近年來,與石墨烯一樣擁有二維層狀結(jié)構(gòu)的黑磷展現(xiàn)出卓越的電學和光學特性,被視為新的超級材料,其在晶體管、光電器件、催化和生物醫(yī)學領(lǐng)域擁有巨大應用潛力。然而,黑磷的不穩(wěn)定性限制了其在很多領(lǐng)域深入的研究和應用。為解決黑磷的這一難題,喻學鋒團隊曾先后基于配位化學和共價化學原理,有效提高了黑磷的穩(wěn)定性。然而,如何在增強穩(wěn)定性的同時,保持甚至提高黑磷的電學性能是當前該領(lǐng)域所面臨的一個關(guān)鍵難題。

      在本項研究中,研究團隊發(fā)明了一種金屬離子修飾黑磷的方法,通過陽離子-π相互作用,在溶劑中自由分散的金屬陽離子(如銀離子)可以自發(fā)的吸附到黑磷的表面,鈍化黑磷中磷原子的孤對電子,進而極大提高了黑磷片層的穩(wěn)定性。與此同時,金屬離子的修飾過程相當于在黑磷中引入了更多的空穴,可調(diào)控本來雙極性偏p型的黑磷的半導體特性,其空穴傳導側(cè)的輸運性質(zhì)得到進一步提升。如銀離子修飾后,黑磷的載流子遷移率提高了一倍,開關(guān)比提高兩個數(shù)量級。由于金屬離子和黑磷之間是一種較弱的超分子相互作用,金屬離子對黑磷的修飾過程較之前開發(fā)的化學方法更加可控,而且普適性更高,除銀離子外,鎂離子、鐵離子、汞離子都可以實現(xiàn)對黑磷穩(wěn)定性的增強和半導體特性的調(diào)控。

      這種技術(shù)為制備高穩(wěn)定性、高性能黑磷晶體管提供了一種簡單有效的新方法,并可極大拓展黑磷在各種電子和光電器件領(lǐng)域的應用。

      本項工作得到了國家自然科學基金、中科院前沿科學研究重點計劃、深圳市孔雀團隊、深圳市基礎(chǔ)研究布局等項目的資助。

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